Ნაწილი ნომერი :
SF2008GHC0G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AB
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 10A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
80pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C