Comchip Technology - SB2100E-G

KEY Part #: K6451584

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Comchip Technology SB2100E-G electronic components. SB2100E-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SB2100E-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : SB2100E-G

მწარმოებელი : Comchip Technology

აღწერა : DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO15

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Schottky

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 850mV @ 2A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500µA @ 100V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

პაკეტი / საქმე : DO-204AC, DO-15, Axial

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-15

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

20ETF04FP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
8EWF10S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
8EWF12S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.
VS-50WQ10FNTR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
30WQ10FNTR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.
8EWS08S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

ცხელი ნაწილები