თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. TC58BYG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI4

KEY Part #: K939351

TC58BYG0S3HBAI4 ფასები (აშშ დოლარი) [24757ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.85094
Ნაწილი ნომერი:
TC58BYG0S3HBAI4
მწარმოებელი:
Toshiba Memory America, Inc.
Დეტალური აღწერა:
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, სპეციალიზებული აივ, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის and მეხსიერება - ბატარეები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4 electronic components. TC58BYG0S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG0S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI4 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TC58BYG0S3HBAI4
მწარმოებელი : Toshiba Memory America, Inc.
აღწერა : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
სერიები : Benand™
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა : 1Gb (128M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 25ns
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : -
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 63-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 63-TFBGA (9x11)

Უახლესი ცნობები

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

ცხელი ნაწილები