Vishay Semiconductor Diodes Division - GF1J-E3/67A

KEY Part #: K6455508

GF1J-E3/67A ფასები (აშშ დოლარი) [611250ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06385
  • 1,500 pcs$0.06354
  • 3,000 pcs$0.05793
  • 7,500 pcs$0.05420
  • 10,500 pcs$0.05046
  • 37,500 pcs$0.04983

Ნაწილი ნომერი:
GF1J-E3/67A
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GF1J-E3/67A electronic components. GF1J-E3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GF1J-E3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GF1J-E3/67A პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GF1J-E3/67A
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214BA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214BA (GF1)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FFD10UP20S

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 10A DPAK. Rectifiers 200V 10A Ultrafast

  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • BAS21E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast