Vishay Semiconductor Diodes Division - B40C800G-E4/51

KEY Part #: K6540212

B40C800G-E4/51 ფასები (აშშ დოლარი) [167001ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18984
  • 10 pcs$0.16334
  • 25 pcs$0.15235
  • 100 pcs$0.12181
  • 250 pcs$0.11311
  • 500 pcs$0.09571
  • 1,000 pcs$0.07396
  • 2,500 pcs$0.06743
  • 5,000 pcs$0.06308

Ნაწილი ნომერი:
B40C800G-E4/51
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG. Bridge Rectifiers 0.9 Amp 65 Volt
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division B40C800G-E4/51 electronic components. B40C800G-E4/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for B40C800G-E4/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

B40C800G-E4/51 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : B40C800G-E4/51
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 65V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 900mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 900mA
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 65V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-Circular, WOG
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : WOG

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • UC2610N

    Texas Instruments

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A 8DIP. Bridge Rectifiers Dual Schottky Diode Bridge

  • GBPC3502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 200 Volt

  • VS-GBPC2510W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 25 Amp

  • GBPC3508W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 800 Volt

  • GBPC1508W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 15 Amp Glass Passivated

  • VS-GBPC3510W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 35 Amp