ON Semiconductor - FDP8D5N10C

KEY Part #: K6392659

FDP8D5N10C ფასები (აშშ დოლარი) [39860ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.98092

Ნაწილი ნომერი:
FDP8D5N10C
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
FET ENGR DEV-NOT REL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDP8D5N10C electronic components. FDP8D5N10C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP8D5N10C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP8D5N10C პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDP8D5N10C
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : FET ENGR DEV-NOT REL
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2475pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.4W (Ta), 107W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ