IXYS - IXFN34N100

KEY Part #: K6400820

IXFN34N100 ფასები (აშშ დოლარი) [2165ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$21.10267
  • 10 pcs$20.99768

Ნაწილი ნომერი:
IXFN34N100
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN34N100 electronic components. IXFN34N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN34N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN34N100 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN34N100
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 380nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9200pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 700W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRLR2905ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • 2SK3045

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

  • IPB04N03LA

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • IPB04N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • SPB02N60S5ATMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.

  • SPB42N03S2L-13

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK.