Vishay Siliconix - SI7922DN-T1-E3

KEY Part #: K6525161

SI7922DN-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [103515ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.37773
  • 3,000 pcs$0.33477

Ნაწილი ნომერი:
SI7922DN-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - TRIACs, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7922DN-T1-E3 electronic components. SI7922DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7922DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7922DN-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7922DN-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
ძალა - მაქსიმუმი : 1.3W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ