Microsemi Corporation - JANTX1N6628US

KEY Part #: K6447710

JANTX1N6628US ფასები (აშშ დოლარი) [3548ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$12.20707
  • 100 pcs$11.67562

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N6628US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6628US electronic components. JANTX1N6628US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6628US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6628US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N6628US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 660V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.75A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.35V @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 660V
Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, E
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • DSTD5200

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-252. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 5A

  • VS-8EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast