Microsemi Corporation - APT10SCD65K

KEY Part #: K6444051

APT10SCD65K ფასები (აშშ დოლარი) [2581ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.60454
  • 10 pcs$2.32469
  • 25 pcs$2.09209
  • 100 pcs$1.90612

Ნაწილი ნომერი:
APT10SCD65K
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE SILICON 650V 17A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT10SCD65K electronic components. APT10SCD65K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT10SCD65K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT10SCD65K პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT10SCD65K
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE SILICON 650V 17A TO220
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 17A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.8V @ 10A
სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 200µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F : 300pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220 [K]
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.