Infineon Technologies - IPB65R110CFDAATMA1

KEY Part #: K6417053

IPB65R110CFDAATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [24122ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.70848
  • 1,000 pcs$1.64991

Ნაწილი ნომერი:
IPB65R110CFDAATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB65R110CFDAATMA1 electronic components. IPB65R110CFDAATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R110CFDAATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R110CFDAATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB65R110CFDAATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH TO263-3
სერიები : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 31.2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.3mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 118nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3240pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 277.8W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D²PAK (TO-263AB)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.