თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - ხიდის გასწორება
  5. B1S-G

Comchip Technology - B1S-G

KEY Part #: K6538312

B1S-G ფასები (აშშ დოლარი) [895798ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04150
  • 3,000 pcs$0.04129
Ნაწილი ნომერი:
B1S-G
მწარმოებელი:
Comchip Technology
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 100V 800MA MBS. Bridge Rectifiers VR=100V, IO=0.8A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Comchip Technology B1S-G electronic components. B1S-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for B1S-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

B1S-G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : B1S-G
მწარმოებელი : Comchip Technology
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 100V 800MA MBS
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 800mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 800mA
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-269AA, 4-BESOP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : MBS

Უახლესი ცნობები

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CPC7556N

    IXYS Integrated Circuits Division

    BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

  • CPC7557NTR

    IXYS Integrated Circuits Division

    BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

  • CPC7557N

    IXYS Integrated Circuits Division

    BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

  • CPC7556NTR

    IXYS Integrated Circuits Division

    BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

  • TSS4B04GHD2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 50ns 4A 400V Hi Eff Rec Brd Rect

  • TSS4B02GHC2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 100V Sup Fst Rec Rect

ცხელი ნაწილები