Infineon Technologies - IPL60R185C7AUMA1

KEY Part #: K6418366

IPL60R185C7AUMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [60689ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.64428
  • 3,000 pcs$0.62557

Ნაწილი ნომერი:
IPL60R185C7AUMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPL60R185C7AUMA1 electronic components. IPL60R185C7AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL60R185C7AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL60R185C7AUMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPL60R185C7AUMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
სერიები : CoolMOS™ C7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 260µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1080pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 77W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-VSON-4
პაკეტი / საქმე : 4-PowerTSFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.