Ნაწილი ნომერი :
IPL60R185C7AUMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
185 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 260µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
24nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1080pF @ 400V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
77W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-VSON-4
პაკეტი / საქმე :
4-PowerTSFN