Microsemi Corporation - APT24M120B2

KEY Part #: K6395329

APT24M120B2 ფასები (აშშ დოლარი) [4553ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$10.46595
  • 10 pcs$9.51294
  • 100 pcs$7.69140

Ნაწილი ნომერი:
APT24M120B2
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT24M120B2 electronic components. APT24M120B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT24M120B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT24M120B2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT24M120B2
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
სერიები : POWER MOS 8™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 630 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 8370pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1040W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : T-MAX™ [B2]
პაკეტი / საქმე : TO-247-3 Variant

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.

  • SIHA120N60E-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN.

  • SIHG120N60E-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET E SERIES 600V TO247AC.

  • IRFP244PBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC.