ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16160A-37CBL

KEY Part #: K936884

IS43DR16160A-37CBL ფასები (აშშ დოლარი) [15336ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.55645

Ნაწილი ნომერი:
IS43DR16160A-37CBL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური,, PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, ინტერფეისი - CODEC, PMIC - LED მძღოლები and ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-37CBL electronic components. IS43DR16160A-37CBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16160A-37CBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16160A-37CBL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43DR16160A-37CBL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 266MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 500ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-TWBGA (8x12.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA