Microsemi Corporation - 1N5552US

KEY Part #: K6425732

1N5552US ფასები (აშშ დოლარი) [6622ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.91419
  • 10 pcs$5.37698
  • 25 pcs$4.97374

Ნაწილი ნომერი:
1N5552US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5552US electronic components. 1N5552US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5552US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5552US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5552US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 9A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DK208DRP

    Littelfuse Inc.

    DIODE RECTIFIER 1200V 8A TO252 R. Rectifiers Diode rectifier 1200V 8A TO252 Reel Pack

  • EGL34G/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • VS-20ETS12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3

  • VS-20ETF12FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP. Rectifiers New Input Diodes - FULLPAK-220-e3

  • BYD33JGPHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL.

  • UH1PD-M3/85A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA. Rectifiers 1A,200V,25NS,planar FER RECT,SMD