Infineon Technologies - BSC520N15NS3GATMA1

KEY Part #: K6416411

BSC520N15NS3GATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [133813ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.27641
  • 5,000 pcs$0.22445

Ნაწილი ნომერი:
BSC520N15NS3GATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSC520N15NS3GATMA1 electronic components. BSC520N15NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC520N15NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC520N15NS3GATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSC520N15NS3GATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 890pF @ 75V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 57W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TDSON-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.