IXYS - IXFR26N100P

KEY Part #: K6395835

IXFR26N100P ფასები (აშშ დოლარი) [4056ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$12.34334
  • 30 pcs$12.28193

Ნაწილი ნომერი:
IXFR26N100P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFR26N100P electronic components. IXFR26N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR26N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR26N100P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFR26N100P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
სერიები : HiPerFET™, PolarP2™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 197nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 11900pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 290W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOPLUS247™
პაკეტი / საქმე : ISOPLUS247™

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ