Ნაწილი ნომერი :
DMN2600UFB-7
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.3A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
70.13pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
540mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
3-DFN1006 (1.0x0.6)