Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA04TB60SPBF

KEY Part #: K6440148

VS-HFA04TB60SPBF ფასები (აშშ დოლარი) [74221ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.44737
  • 10 pcs$0.39970
  • 25 pcs$0.37947
  • 100 pcs$0.29485
  • 250 pcs$0.27562
  • 500 pcs$0.24357
  • 1,000 pcs$0.19229
  • 2,500 pcs$0.17947
  • 5,000 pcs$0.17093

Ნაწილი ნომერი:
VS-HFA04TB60SPBF
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA04TB60SPBF electronic components. VS-HFA04TB60SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA04TB60SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA04TB60SPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-HFA04TB60SPBF
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK
სერიები : HEXFRED®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.8V @ 4A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 42ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 3µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAV19W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM

  • SD101BW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 50Volt 2A IFSM

  • SD101CW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 40Volt 2A IFSM

  • GSD2004W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • SD101CW-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 40Volt 2A IFSM

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier