STMicroelectronics - STD100N10F7

KEY Part #: K6418715

STD100N10F7 ფასები (აშშ დოლარი) [74048ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.52804
  • 2,500 pcs$0.46814

Ნაწილი ნომერი:
STD100N10F7
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STD100N10F7 electronic components. STD100N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD100N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD100N10F7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STD100N10F7
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N CH 100V 80A DPAK
სერიები : DeepGATE™, STripFET™ VII
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4369pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 120W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DPAK
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.

  • SPA06N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220.