Infineon Technologies - SPI07N65C3HKSA1

KEY Part #: K6409482

[266ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SPI07N65C3HKSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - JFET ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies SPI07N65C3HKSA1 electronic components. SPI07N65C3HKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPI07N65C3HKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPI07N65C3HKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SPI07N65C3HKSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
    სერიები : CoolMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 4.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 350µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 790pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 83W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO262-3-1
    პაკეტი / საქმე : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FCD620N60ZF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

    • RFD3055LESM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • FCD850N80Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

    • FCD5N60TM-WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

    • FDD6N50TM-WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • FDD10AN06A0

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.