Central Semiconductor Corp - 1N485B BK

KEY Part #: K6441595

[3422ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    1N485B BK
    მწარმოებელი:
    Central Semiconductor Corp
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GP 200V 200MA DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Central Semiconductor Corp 1N485B BK electronic components. 1N485B BK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N485B BK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N485B BK პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 1N485B BK
    მწარმოებელი : Central Semiconductor Corp
    აღწერა : DIODE GP 200V 200MA DO204AL
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 100mA
    სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 25nA @ 200V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 200°C
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • CDBDSC8650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

    • CDBDSC10650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

    • CDBDSC5650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

    • VS-8EWS10STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • VS-8EWS10STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • VS-CPU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L