IDT, Integrated Device Technology Inc - 7164S25YG8

KEY Part #: K939355

7164S25YG8 ფასები (აშშ დოლარი) [24821ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.85541
  • 1,000 pcs$1.84618

Ნაწილი ნომერი:
7164S25YG8
მწარმოებელი:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური,, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები, ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, ინტერფეისი - კონტროლერები, PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი, ხაზოვანი - შემსრულებლები and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S25YG8 electronic components. 7164S25YG8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 7164S25YG8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

7164S25YG8 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 7164S25YG8
მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
აღწერა : IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Asynchronous
მეხსიერების ზომა : 64Kb (8K x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 25ns
წვდომის დრო : 25ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 4.5V ~ 5.5V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 28-SOJ
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.