Nexperia USA Inc. - PHD38N02LT,118

KEY Part #: K6421325

PHD38N02LT,118 ფასები (აშშ დოლარი) [454053ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.08187
  • 10,000 pcs$0.08146

Ნაწილი ნომერი:
PHD38N02LT,118
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. PHD38N02LT,118 electronic components. PHD38N02LT,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHD38N02LT,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHD38N02LT,118 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PHD38N02LT,118
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
სერიები : TrenchMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 44.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 15.1nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 800pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 57.6W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DPAK
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ