Microsemi Corporation - APT200GN60J

KEY Part #: K6533708

APT200GN60J ფასები (აშშ დოლარი) [2736ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$15.83096
  • 10 pcs$14.64352
  • 25 pcs$13.45627
  • 100 pcs$12.50646
  • 250 pcs$11.47744

Ნაწილი ნომერი:
APT200GN60J
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 600V 283A 682W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT200GN60J electronic components. APT200GN60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GN60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT200GN60J პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT200GN60J
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 600V 283A 682W SOT227
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 283A
ძალა - მაქსიმუმი : 682W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 25µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 14.1nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : ISOTOP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

  • VS-GB75SA120UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MODULE IGBT SOT-227.