Microsemi Corporation - APT200GN60J

KEY Part #: K6533708

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APT200GN60J electronic components. APT200GN60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GN60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APT200GN60J

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : IGBT 600V 283A 682W SOT227

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

IGBT ტიპი : Trench Field Stop

კონფიგურაცია : Single

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 283A

ძალა - მაქსიმუმი : 682W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 25µA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 14.1nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : No

ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : ISOTOP

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.
VS-GB75SA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.