Vishay Semiconductor Diodes Division - US1GHE3_A/H

KEY Part #: K6455566

US1GHE3_A/H ფასები (აშშ დოლარი) [636328ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05813
  • 1,800 pcs$0.05412
  • 3,600 pcs$0.04961
  • 5,400 pcs$0.04660
  • 12,600 pcs$0.04360
  • 45,000 pcs$0.04009

Ნაწილი ნომერი:
US1GHE3_A/H
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1GHE3_A/H electronic components. US1GHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1GHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1GHE3_A/H პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : US1GHE3_A/H
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • C4D10120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast

  • MMBD914LT1HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A