VS-60EPS16-M3 ფასები (აშშ დოლარი) [7878ცალი საფონდო]
- 1 pcs$5.49553
- 10 pcs$4.96360
- 25 pcs$4.73259
- 100 pcs$4.10926
- 250 pcs$3.92459
- 500 pcs$3.57831
- Ნაწილი ნომერი:
- VS-60EPS16-M3
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-60EPS16-M3 electronic components. VS-60EPS16-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-60EPS16-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-60EPS16-M3 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
VS-60EPS16-M3
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AC
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
60A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.15V @ 60A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100µA @ 1600V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-247-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247AC Modified
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
ცხელი ნაწილები
- SF10JG-A
- GI816-E3/73
- FR101TA
- IDH12G65C5XKSA1
- VS-10ETF12SPBF
- JANTX1N1190
- SS15HE3_A/H
- SRP100K-E3/54
- S5GHE3/9AT
- SK33/TR13
- CDBK0530-HF
- UF4001-TP
- D251N08BXPSA1
- MSS1P2U-M3/89A
- UH2BHE3/5BT
- 1N1128AR
- SL44HE3/57T
- SS8P2L-E3/87A
- S1B-E3/51T
- 245NQ015R
- BYD33JGP-E3/54
- STTH1R04
- R5100810XXWA
- 1N5401
- SIDC03D60C6X1SA2
- 1N914A
- RL205-TP
- RS2D-13
- FR606-T
- 10BQ100
- SF11-T
- APD245VD-E1
- 1N4936-AP
- DSI30-08AS-TUB
- FESF8AT-E3/45
- RO 2BV1
- ES3A-M3/9AT
- EGP10DE-E3/54
- U1B-E3/61T
- 1N3957GP-E3/54
选择你的位置