Winbond Electronics - W979H6KBVX2E

KEY Part #: K939647

W979H6KBVX2E ფასები (აშშ დოლარი) [26024ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.45988
  • 171 pcs$2.44764

Ნაწილი ნომერი:
W979H6KBVX2E
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP, PMIC - ლაზერული დრაივერი, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W979H6KBVX2E electronic components. W979H6KBVX2E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W979H6KBVX2E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W979H6KBVX2E პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W979H6KBVX2E
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR2
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.14V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 134-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 134-VFBGA (10x11.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MR45V256AMAZAAT-L

    Rohm Semiconductor

    IC FRAM 256K SPI 15MHZ 8SOP. F-RAM 256K; SPI; 3.3V FeRAM 15MHz

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 6116LA20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM