ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR32200C-6BLI

KEY Part #: K939935

IS43LR32200C-6BLI ფასები (აშშ დოლარი) [27370ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.00303
  • 240 pcs$1.99307

Ნაწილი ნომერი:
IS43LR32200C-6BLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - რეალურ დროში საათები, ინტერფეისი - პირდაპირი ციფრული სინთეზი (DDS), PMIC - თერმული მენეჯმენტი, საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები, საათი / დრო - საათის ბუფერები, მძღოლები, ლოგიკა - შემსრულებლები and ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32200C-6BLI electronic components. IS43LR32200C-6BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR32200C-6BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR32200C-6BLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43LR32200C-6BLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR
მეხსიერების ზომა : 64Mb (2M x 32)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5.5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-TFBGA (8x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit