Infineon Technologies - IRF3709STRLPBF

KEY Part #: K6419770

IRF3709STRLPBF ფასები (აშშ დოლარი) [130935ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.32313
  • 800 pcs$0.32152

Ნაწილი ნომერი:
IRF3709STRLPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF3709STRLPBF electronic components. IRF3709STRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3709STRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3709STRLPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF3709STRLPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 41nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2672pF @ 16V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.1W (Ta), 120W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ