TRS8E65C,S1Q ფასები (აშშ დოლარი) [12497ცალი საფონდო]
- 1 pcs$4.22191
- Ნაწილი ნომერი:
- TRS8E65C,S1Q
- მწარმოებელი:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q electronic components. TRS8E65C,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TRS8E65C,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TRS8E65C,S1Q პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
TRS8E65C,S1Q
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 8A
სიჩქარე :
No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
90µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F :
44pF @ 650V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220-2L
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
175°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SS2FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A,60V,SMFSkty Rect
-
SB2H90-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM
-
SS3P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 3A,30V,SM SKY RECT.
-
S4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers 4A, 200V, SMPC STD, SM Rect
-
AS4PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,600V, SMPC STD, Avalanche SM
-
AR3PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.6A TO277A. Rectifiers 3A,800V, SMPC,Fast Recovery, Avalanche
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置