Vishay Siliconix - SI1431DH-T1-E3

KEY Part #: K6392828

SI1431DH-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [390893ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09510
  • 3,000 pcs$0.09462

Ნაწილი ნომერი:
SI1431DH-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI1431DH-T1-E3 electronic components. SI1431DH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1431DH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1431DH-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI1431DH-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 950mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-70-6 (SOT-363)
პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ