Vishay Siliconix - IRF830S

KEY Part #: K6415090

[12530ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRF830S
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტირისტორები - TRIACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix IRF830S electronic components. IRF830S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF830S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF830S პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRF830S
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 610pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.1W (Ta), 74W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
    პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • NDF0610

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 180MA TO92.

    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • BSS100

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 220MA TO92.

    • BSS110

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 170MA TO92.

    • IRLR3103

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.