მწარმოებელი :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
აღწერა :
MOSFET P-CH 12V 9A 8SOIC
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1370pF @ 6V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOIC
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)