Infineon Technologies - IPN60R1K5CEATMA1

KEY Part #: K6421206

IPN60R1K5CEATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [392303ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09428
  • 3,000 pcs$0.07782

Ნაწილი ნომერი:
IPN60R1K5CEATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
CONSUMER.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPN60R1K5CEATMA1 electronic components. IPN60R1K5CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN60R1K5CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN60R1K5CEATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPN60R1K5CEATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : CONSUMER
სერიები : CoolMOS™ CE
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 200pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-SOT223
პაკეტი / საქმე : SOT-223-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ