Microsemi Corporation - JANTXV1N5614US

KEY Part #: K6441246

JANTXV1N5614US ფასები (აშშ დოლარი) [5990ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$8.22815
  • 106 pcs$7.78783

Ნაწილი ნომერი:
JANTXV1N5614US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5614US electronic components. JANTXV1N5614US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5614US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5614US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N5614US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/427
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 3A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 200°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier

  • SICR6650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • SICR10650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.