Infineon Technologies - IPP65R660CFDAAKSA1

KEY Part #: K6401834

IPP65R660CFDAAKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [2913ცალი საფონდო]

  • 500 pcs$0.52427

Ნაწილი ნომერი:
IPP65R660CFDAAKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V TO-220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPP65R660CFDAAKSA1 electronic components. IPP65R660CFDAAKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP65R660CFDAAKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP65R660CFDAAKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPP65R660CFDAAKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 650V TO-220-3
სერიები : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 543pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 62.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.