Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH3006S-M3

KEY Part #: K6445522

VS-ETH3006S-M3 ფასები (აშშ დოლარი) [48206ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.79021
  • 10 pcs$0.70784
  • 25 pcs$0.66796
  • 100 pcs$0.56908
  • 250 pcs$0.53437
  • 500 pcs$0.46756
  • 1,000 pcs$0.38741
  • 2,500 pcs$0.34119
  • 5,000 pcs$0.33698

Ნაწილი ნომერი:
VS-ETH3006S-M3
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK. Rectifiers 30A 600V Hyperfast 26ns
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETH3006S-M3 electronic components. VS-ETH3006S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ETH3006S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH3006S-M3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-ETH3006S-M3
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
სერიები : FRED Pt®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 30A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2.65V @ 30A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 26ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 30µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.