IXYS - IXFH170N25X3

KEY Part #: K6398099

IXFH170N25X3 ფასები (აშშ დოლარი) [6608ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.85729
  • 10 pcs$6.23414
  • 100 pcs$5.29902

Ნაწილი ნომერი:
IXFH170N25X3
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 250V 170A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFH170N25X3 electronic components. IXFH170N25X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH170N25X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH170N25X3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFH170N25X3
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 250V 170A TO247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 250V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 170A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 13500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 960W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247 (IXFH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.