Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM07-400HE3/98

KEY Part #: K6446728

[1667ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BYM07-400HE3/98
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-400HE3/98 electronic components. BYM07-400HE3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM07-400HE3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYM07-400HE3/98 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BYM07-400HE3/98
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
    სერიები : SUPERECTIFIER®
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.35V @ 500mA
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 400V
    Capacitance @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-213AA (Glass)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA (GL34)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • MBR1650HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

    • BYM07-400HE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • SBLB1040-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO263AB.

    • NSB8DTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.