Diodes Incorporated - 1N4007G-T

KEY Part #: K6456884

1N4007G-T ფასები (აშშ დოლარი) [1948362ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02597
  • 5,000 pcs$0.02584
  • 10,000 pcs$0.02297
  • 25,000 pcs$0.02153
  • 50,000 pcs$0.01909

Ნაწილი ნომერი:
1N4007G-T
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41. Rectifiers 1.0A 1000V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated 1N4007G-T electronic components. 1N4007G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4007G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4007G-T პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N4007G-T
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-41
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • RURD420S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • VS-15EVU06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 15A SlimDPAK FRED

  • VS-15EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 15A SlimDPAK FRED

  • VS-8EVH06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED