Rohm Semiconductor - RDN050N20FU6

KEY Part #: K6419563

RDN050N20FU6 ფასები (აშშ დოლარი) [119180ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.34309
  • 500 pcs$0.34139

Ნაწილი ნომერი:
RDN050N20FU6
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RDN050N20FU6 electronic components. RDN050N20FU6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RDN050N20FU6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RDN050N20FU6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RDN050N20FU6
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 720 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 18.6nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 292pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 30W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220FN
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ