თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. 1N5553US

Microsemi Corporation - 1N5553US

KEY Part #: K6440502

1N5553US ფასები (აშშ დოლარი) [7165ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.91419
  • 10 pcs$5.37698
  • 25 pcs$4.97374
  • 100 pcs$4.57046
  • 250 pcs$4.16715
  • 500 pcs$3.89831
Ნაწილი ნომერი:
1N5553US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5553US electronic components. 1N5553US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5553US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5553US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5553US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 9A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : B, SQ-MELF
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-80APS08-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • V20100S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

  • BY448GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.65KV 1.5A DO204. Rectifiers 1.5 Amp 1650 Volt

  • EGP20G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC. Rectifiers 400 Volt 2.0A 50ns Glass Passivated

  • GI1-1200GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO204AC. Rectifiers 1200 Volt 1.0 Amp High Voltage

  • EGP20B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 100 Volt 2.0A 50ns Glass Passivated

ცხელი ნაწილები