Microsemi Corporation - 1N5814

KEY Part #: K6445532

1N5814 ფასები (აშშ დოლარი) [2644ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$21.56037
  • 100 pcs$21.45311

Ნაწილი ნომერი:
1N5814
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5814 electronic components. 1N5814 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5814, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5814 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5814
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 950mV @ 20A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 300pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Stud Mount
პაკეტი / საქმე : DO-203AA, DO-4, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-203AA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.