STMicroelectronics - STU7LN80K5

KEY Part #: K6417909

STU7LN80K5 ფასები (აშშ დოლარი) [45843ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.80693
  • 10 pcs$0.72749
  • 100 pcs$0.58467
  • 500 pcs$0.45473
  • 1,000 pcs$0.37678

Ნაწილი ნომერი:
STU7LN80K5
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 5A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STU7LN80K5 electronic components. STU7LN80K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STU7LN80K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STU7LN80K5 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STU7LN80K5
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
სერიები : MDmesh™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 270pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 85W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : IPAK (TO-251)
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.