Ნაწილი ნომერი :
APT80SM120J
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
POWER MOSFET - SIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
51A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
235nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
273W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-227
პაკეტი / საქმე :
SOT-227-4, miniBLOC