Ნაწილი ნომერი :
VS-2EFH01-M3/I
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
950mV @ 2A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
24ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
2µA @ 100V
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-219AB (SMF)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C