Toshiba Semiconductor and Storage - TK8A55DA(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6418486

TK8A55DA(STA4,Q,M) ფასები (აშშ დოლარი) [65399ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.66096
  • 50 pcs$0.65767

Ნაწილი ნომერი:
TK8A55DA(STA4,Q,M)
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK8A55DA(STA4,Q,M) electronic components. TK8A55DA(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK8A55DA(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK8A55DA(STA4,Q,M) პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK8A55DA(STA4,Q,M)
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS
სერიები : π-MOSVII
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 550V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.07 Ohm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 800pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 40W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220SIS
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.