Microsemi Corporation - APT70GR120JD60

KEY Part #: K6532645

APT70GR120JD60 ფასები (აშშ დოლარი) [2401ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$18.04090
  • 10 pcs$16.68853
  • 25 pcs$15.33542
  • 100 pcs$14.25287

Ნაწილი ნომერი:
APT70GR120JD60
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 112A 543W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT70GR120JD60 electronic components. APT70GR120JD60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT70GR120JD60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT70GR120JD60 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT70GR120JD60
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 1200V 112A 543W SOT227
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : NPT
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 112A
ძალა - მაქსიმუმი : 543W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 70A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1.1mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 7.26nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.